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First Demonstration of Monolithic Three-Dimensional Integration of Ultra-High Density Hybrid IGZO/Si SRAM and IGZO 2T0C DRAM Achieving Record-Low Latency (<10ns), Record-Low Energy (<10fJ) of Data Transfer and Ultra-Long Data Retention (>5000s) 首次演示超高密度混合IGZO/Si SRAM和IGZO 2T0C DRAM的单片三维集成,实现了创纪录的低延迟(<10ns)、创纪录的低能量(<10fJ)数据传输和超长数据保留(>5000s)
相关领域
德拉姆
静态随机存取存储器
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光电子学
随机存取存储器
延迟时间
嵌入式系统
计算机科学
半导体存储器
计算机硬件
内存控制器
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期刊: 作者:Menggan Liu; Zhi Li; Wendong Lu; Kaifei Chen; Jiebin Niu; et al 出版日期:2024-06-16 |
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