| 标题 |
  Decoupling bulk and surface recombination properties in silicon by depth-dependent carrier lifetime measurements 通过深度相关载流子寿命测量解耦硅中的体和表面复合性质
相关领域
载流子寿命
薄脆饼
钝化
载流子
材料科学
硅
解耦（概率）
光谱学
半导体
谱线
重组
μ介子
光电子学
分子物理学
原子物理学
分析化学（期刊）
化学
纳米技术
物理
控制工程
工程类
天文
粒子物理学
基因
量子力学
生物化学
色谱法
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Koji Yokoyama; J. S. Lord; J.M. Miao; Prashantha Murahari; Alan J. Drew 出版日期：2021-06-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
遇上就这样吧
GingerF
xiaoyinni
GPTea
学术噗噗
着急的青枫
pcr163
Xiaoxiao
浮游
馆长
孙孙
Capybara
Yan
陶1122
jyy
SciGPT
虚心代天
Nan
NexusExplorer
科目三
mmm842273943
赫若魔
xl
yyyaojiayou
wop111
pluto
酷波er
一通百通
皖公网安备34019202002308
