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 Analysis of abnormal threshold voltage shift induced by surface donor state in GaN HEMT on SiC substrate SiC衬底GaN HEMT中表面施主态引起的异常阈值电压漂移分析
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Ting-Tzu Kuo; Ying-Chung Chen; Ting‐Chang Chang; Mao‐Chou Tai; Yu‐Xuan Wang; et al 出版日期：2022-06-06 |
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