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[高分]
 Reliability Characteristics of La-doped High-k/Metal Gate nMOSFETs 相关领域
材料科学
跨导
兴奋剂
光电子学
电介质
阈值电压
金属浇口
MOSFET
高-κ电介质
可靠性（半导体）
栅极电介质
俘获
电气工程
栅氧化层
晶体管
电压
物理
工程类
生物
功率（物理）
量子力学
生态学
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Chang Yong Kang; Rino Choi; Byoung Hun Lee; R. Jammy 出版日期：2009-09-30 |
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