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Charge Trapping Characteristics of HfO$_{2}$ Layers forTunnel-barrier-engineered Nonvolatile Memory Applications 相关领域
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期刊:Journal of the Korean Physical Society 作者:Kwan-Su Kim; Myung-Ho Jung; Goon-Ho Park; Won-Ju Cho; Jongwan Jung 出版日期:2009-09-15 |
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