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标题
The Gate Leakage Current in Graphene Field-Effect Transistor
相关领域
石墨烯 材料科学 晶体管 场效应晶体管 量子隧道 光电子学 栅氧化层 泄漏(经济) 氧化物 电流(流体) 纳米技术 电气工程 电压 工程类 经济 冶金 宏观经济学
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DOI
10.1109/led.2008.2001475 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Ling‐Feng Mao; Xijun Li; Zi-Ou Wang; Jin-Yan Wang
出版日期:2008-08-27
求助人
山鬼 在 2025-11-10 12:39:47 发布自江苏,悬赏 10 积分
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