Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices

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标题	Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices 功率器件用6 H-SiC、3C-SiC和Si的比较相关领域肖特基二极管碳化硅材料科学击穿电压光电子学功率半导体器件功率MOSFET 电气工程肖特基势垒电压硅 MOSFET 功率（物理）分析化学（期刊）晶体管物理二极管化学工程类量子力学色谱法冶金
网址	https://doi.org/10.1109/16.199372
DOI	10.1109/16.199372 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：M. Bhatnagar; B. Jayant Baliga 出版日期：1993-03-01
求助人	63941367 在 2025-09-18 17:13:07 发布自广东，悬赏 10 积分
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