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标题
A Novel Enhancement-Mode Gallium Nitride p-Channel Metal Insulator Semiconductor Field-Effect Transistor with a Buried Back Gate for Gallium Nitride Single-Chip Complementary Logic Circuits
用于氮化镓单芯片互补逻辑电路的新型增强型氮化镓p沟道金属绝缘体半导体场效应晶体管
相关领域
错配 材料科学 光电子学 氮化镓 逻辑门 阈下传导 和大门 金属浇口 阈下斜率 晶体管 阈值电压 场效应晶体管 电子工程 电气工程 电压 栅氧化层 纳米技术 工程类 图层（电子）
网址
https://www.mdpi.com/2079-9292/13/4/729/pdf?version=17076145...
AI链接 mdpi.com mdpi.comdoi.org
DOI
10.3390/electronics13040729 doi
其它 期刊：Electronics
作者：HaoChen Wang; Kuangli Chen; Ning Yang; Jianggen Zhu; Enchuan Duan; et al
出版日期：2024-02-10
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赌书泼茶 在 2025-12-05 10:04:25 发布自北京，悬赏 10 积分
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