| 标题 |
  Investigation on the Thermal Characteristics of Enhancement-Mode p-GaN HEMT Device on Si Substrate Using Thermoreflectance Microscopy Si衬底上增强型p-GaN HEMT器件热特性的热反射显微镜研究
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
声子散射
光电子学
基质（水族馆）
散射
热的
晶体管
电压
光学
热导率
电气工程
复合材料
海洋学
物理
工程类
气象学
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Hongyue Wang; Chao Yuan; Yajie Xin; Yijun Shi; Yaozong Zhong; et al 出版日期：2022-03-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
大力的灵雁
犹豫的大碗
贪玩的秋柔
9527
无极微光
tuanheqi
sherry
DYYY
每天都有一堆疑惑
arniu2008
GingerF
家有宝宝
清爽老九
eric888
chan
YifanWang
夏花般灿烂
无方
超级依云
皖公网安备34019202002308
