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标题
Investigation of the Electronic Properties of Silicon Carbide Films with Varied Si/C Ratios Annealed at Different Temperatures
不同Si/C比碳化硅薄膜在不同温度下退火的电子性能研究
相关领域
材料科学 碳化硅 结晶 退火（玻璃） 霍尔效应 等离子体增强化学气相沉积 无定形固体 碳化物 晶界 化学气相沉积 分析化学（期刊） 碳膜 薄膜 化学工程 复合材料 电阻率和电导率 纳米技术 结晶学 微观结构 化学 电气工程 色谱法 工程类
网址
https://www.mdpi.com/2073-4352/14/1/45/pdf?version=170376395...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/cryst14010045 doi
其它 期刊：Crystals
作者：Dan Shan; Daoyuan Sun; Menglong Wang; Yunqing Cao
出版日期：2023-12-28
求助人
Herbert 在 2025-12-04 14:28:02 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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