A Simple Edge Termination Design for Vertical GaN P-N Diodes

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标题	A Simple Edge Termination Design for Vertical GaN P-N Diodes 一种简单的垂直GaN P-N二极管边缘端接设计相关领域二极管击穿电压兴奋剂简单（哲学） GSM演进的增强数据速率光电子学材料科学拓扑（电路）算法数学电气工程电压计算机科学工程类电信认识论哲学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3192796
DOI	10.1109/ted.2022.3192796 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Prakash Pandey; Tolen Nelson; William Collings; Michael R. Hontz; Daniel G. Georgiev; et al 出版日期：2022-07-27
求助人	风中的晓灵在 2025-12-03 22:04:10 发布自江苏，悬赏 10 积分
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