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High‐Endurance STO:YSZ Optoelectronic Memristors with Vertically Aligned Nanocomposite Structure for Edge Detection 用于边缘检测的具有垂直排列纳米复合结构的高耐久性STO:YSZ光电忆阻器
相关领域
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期刊:Advanced Science 作者:Jiacheng Wang; Jikang Xu; Xu Han; Weidong Sun; Fu Wang; et al 出版日期:2025-11-06 |
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