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High performance GaInAsSb/GaSb p-n photodiodes for the 1.8–2.3 μm wavelength range 1.8-2.3 μ m波长范围的高性能GaInAsSb/GaSb p-n光电二极管
相关领域
光电二极管
异质结
光电子学
外延
材料科学
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砷化镓
光刻胶
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光学
物理
纳米技术
复合材料
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期刊:Applied Physics Letters 作者:A. K. Srivastava; J. C. DeWinter; C. Caneau; M. A. Pollack; J.L. Zyskind 出版日期:1986-04-07 |
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