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 Electronic structure of transition metal dichalcogenides monolayers 1H-MX2 (M = Mo, W; X = S, Se, Te) from ab-initio theory: new direct band gap semiconductors 相关领域
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期刊：The European Physical Journal B 作者：Ashok Kumar; P. K. Ahluwalia 出版日期：2012-06-01 |
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