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Effects of pre-deposition annealing prior to gate insulator deposition in planar AlGaN/GaN MIS-HEMT with a thin AlGaN barrier layer |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Takuma Nanjo; Masayuki Furuhashi; Tatsuro Watahiki; Takashi Egawa 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)