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  On the nature of deep-level defects in β -Ga2O3 epilayers: The impact of isochronal rapid thermal annealing 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Christopher A. Dawe; Douglas M. Murray Lendering; Vladimir P. Markevich; Janet Jacobs; I.D. Hawkins; et al 出版日期：2026-03-10 |
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