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 Influence of SiC epitaxial wafer quality on yield of 1.2kV SiC-DMOSFETs 相关领域
薄脆饼
外延
材料科学
产量（工程）
光电子学
质量（理念）
位错
电子工程
复合材料
工程类
哲学
认识论
图层（电子）
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期刊： 作者：Junji Senzaki; Ryoji Kosugi; K. Masumoto; Takeshi Mitani; Takeharu Kuroiwa; et al 出版日期：2022-03-01 |
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