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High temperature phase transformation of tantalum nitride films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition for gate electrode applications
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DOI
10.1063/1.2643085 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Raghavasimhan Sreenivasan; Takuya Sugawara; Krishna C. Saraswat; Paul C. McIntyre
出版日期:2007
求助人
房西的水 在 2026-06-01 13:03:07 发布自上海,悬赏 10 积分
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