Dual-active-layer InGaZnO high-voltage thin-film transistors

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标题	Dual-active-layer InGaZnO high-voltage thin-film transistors 相关领域薄膜晶体管材料科学晶体管偏移量（计算机科学）阈值电压磁滞电压分析化学（期刊）图层（电子）计算机科学电气工程化学凝聚态物理纳米技术物理工程类色谱法程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/abfd17
DOI	10.1088/1361-6641/abfd17 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Wenxing Huo; Huili Liang; Yicheng Lu; Zuyin Han; Rui Zhu; et al 出版日期：2021-04-29
求助人	shishikai 在 2025-10-26 19:20:06 发布自江苏，悬赏 10 积分
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