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  Precision plasma etching of Si, Ge, and Ge:P by SF6 with added O2 添加O2的SF6精密等离子体刻蚀Si、Ge和Ge：P
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期刊：Journal of Vacuum Science and Technology 作者：Chalermwat Wongwanitwattana; Vishal Shah; Maksym Myronov; Evan H. C. Parker; Terry E. Whall; et al 出版日期：2014-03-31 |
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