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 Investigation of the Effect of Doping on Transition Layers of Anisotype GaInAsP and InP Heterostructures Obtained by the Method of MOCVD 相关领域
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期刊：Technical Physics Letters 作者：G. S. Gagis; В. И. Васильев; R. V. Levin; A. E. Marichev; B. V. Pushnyĭ; et al 出版日期：2020-10-01 |
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