| 标题 |
 Suppressed gate leakage and enlarged gate over-drive window of E-mode p-GaN gate double channel HEMTs E型p-GaN栅极双沟道HEMT的抑制栅极泄漏和扩大栅极过驱动窗口
相关领域
光电子学
泄漏（经济）
材料科学
逻辑门
频道（广播）
双闸门
电气工程
MOSFET
晶体管
电压
工程类
宏观经济学
经济
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hang Liao; Zheyang Zheng; Li Zhang; Tao Chen; Yan Cheng; et al 出版日期：2024-11-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
OK
张欢馨
孤独的根号三
lixinglei
chenlin
GingerF
贪玩的秋柔
ming2026
潇洒的惋清
cdercder
石宇奇
务实的初阳
qaqu
一鸣
愉快的真
aubusson
学术孤儿
zy
Rita
皖公网安备34019202002308
