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 Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors GaN高电子迁移率晶体管中的负电容克服了肖特基栅极极限
相关领域
光电子学
电容
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感应高电子迁移率晶体管
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期刊：Science 作者：Asir Intisar Khan; Jeong-Kyu Kim; Urmita Sikder; Koushik Das; Thomas Andres Rodriguez; et al 出版日期：2025-07-10 |
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