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 Residual impurities and native defects in 6H-SiC bulk crystals grown by halide chemical-vapor deposition 相关领域
电阻率和电导率
化学气相沉积
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：S. W. Huh; H. J. Chung; S. Nigam; A. Y. Polyakov; Q. Li; et al 出版日期：2006-01-24 |
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