Dislocation characterization in c-plane GaN epitaxial layers on 6 inch Si wafer with a fast second-harmonic generation intensity mapping technique

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标题	Dislocation characterization in c-plane GaN epitaxial layers on 6 inch Si wafer with a fast second-harmonic generation intensity mapping technique
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/acb4a0
DOI	10.1088/1361-6528/acb4a0 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Shou-En Chiang; Wen-Hsin Chang; Yuting Chen; Wen-Chung Li; Chi‐Tsu Yuan; et al 出版日期：2023-01-19
求助人	研友_GZ31vL 在 2026-10-15 15:56:15 发布自重庆，悬赏 10 积分
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