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作者
T. Shimatsu,Miyuki Uomoto,Ayumi Muraoka,Kyoko K. Bando,Y. Suzuki,H. Makita,Tetsuichiro Saito
标识
DOI：10.1109/ltb-3d64053.2024.10774147
摘要
Bonding potential of atomic diffusion bonding (ADB) of wafers at room temperature using oxide films is discussed. The bonded interface for ADB disappears when using Y2O3, ZrO2, Al2O3, and GeO2 films, indicating that remarkable atomic diffusion occurred at the interface, probably through a defect avalanche.
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