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作者
Przemysław Jóźwik,J. Cardoso,Diogo F. Carvalho,M. R. Correia,Margaret Sequeira,S. Magalhães,Djibril Faye,C. Grygiel,I. Monnet,Adam S. Bross,Christian Wetzel,E. Alves,K. Lorenz
摘要
350 nm and 550 nm thick InGaN/GaN bilayers were irradiated with different energies (from ∼82 to ∼38 MeV) of xenon ( 129 Xe) ions and different fluences of 1.2 GeV lead ( 208 Pb) ions, respectively.
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