THE IMPACT OF DIFFERENT HOT-CARRIER-DEGRADATION COMPONENTS ON THE OPTIMIZATION OF SUBMICRON n-CHANNEL LDD TRANSISTORS

The Nether1 andsMesurer AIdr/Idr durant uniquement une courte periode de temps en vue de caracteriser la degradation dfie aux porteurs chauds, des transistors submicroniques au drain lhgbrement dope, peut mener B des predictions erronhes de la duree de vie de ces transistors.L'dvaluation des composants de degradation AR.,,-AP/P et AVT est propos6e.Une explanation physique de l'orgine de ces composants est avancee conjointement avec leur dependance de la dose n-de la region du drain legkrement dope.