A 1.2-V 5.2-mW 20–30-GHz Wideband Receiver Front-End in 0.18-$\mu{\hbox {m}}$ CMOS

巴伦 宽带 电气工程 CMOS芯片 谐振器 噪声系数 放大器 炸薯条 低噪声放大器 物理 带宽(计算) 变压器 前端和后端 电子工程 工程类 电信 天线(收音机) 电压 机械工程
作者
Chun-Hsing Li,Chien‐Nan Kuo,Ming-Ching Kuo
出处
期刊:IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques [IEEE Microwave Theory and Techniques Society]
卷期号:60 (11): 3502-3512 被引量:55
标识
DOI:10.1109/tmtt.2012.2216285
摘要

This paper presents a low-power wideband receiver front-end design using a resonator coupling technique. Inductively coupled resonators, composed of an on-chip transformer and parasitic capacitances from a low-noise amplifier, a mixer, and the transformer itself, not only provide wideband signal transfer, but also realize wideband high-to-low impedance transformation. The coupled resonators also function as a wideband balun to give single-to-differential conversion. Analytic expressions for the coupled resonators with asymmetric loads are presented for design guidelines. The proposed receiver front-end only needs a few passive components so that gain degradation caused by the passive loss is minimized. Hence, power consumption and chip area can be greatly reduced. The chip is implemented in 0.18-μm CMOS technology. The experimental result shows that the - 3-dB bandwidth can span from 20 to 30 GHz with a peak conversion gain of 18.7 dB. The measured input return loss and third-order intercept point are better than 16.7 dB and -7.6 dBm, respectively, over the bandwidth. The minimum noise figure is 7.1 dB. The power consumption is only 5.2 mW from a 1.2-V supply. The chip area is only 0.18 mm 2 .

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