Passivation mechanism in CdTe solar cells: The hybrid role of Se

硫系化合物 钝化 碲化镉光电 扩散 空位缺陷 材料科学 硫族元素 密度泛函理论 化学物理 光电子学 纳米技术 化学 结晶学 计算化学 热力学 冶金 物理 图层(电子)
作者
S. Selva Chandrasekaran,S.C. Gupta,Damien Caliste,Pascal Pochet
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:119 (6) 被引量:21
标识
DOI:10.1063/5.0058290
摘要

In this Letter, we report on the role of Se incorporation in the increased efficiency recently measured in Se alloyed cadmium telluride (CdTe) absorbers. This is done by means of density functional theory calculations following an extensive exploration of all the possible diffusion paths of Se. We identify a unique two-step mechanism that accounts for bulk diffusion of chalcogenide interstitials in CdTe, explaining the Se diffusion measured in experiments. The interaction of the diffusing interstitial with the Cd vacancy and the Te antisite is further analyzed in order to understand the passivation of these two main non-radiative recombination centers. Taking into account the approach path of Se, we identify nine complexes that present different levels of passivation. The lowest formation energy is achieved for a ⟨100⟩ Te dimer with two Se in the first neighbor shell. This defect also presents the shallowest donor character defect state due to the presence of Se. This highlights the hybrid role of Se in the mechanism of increased efficiency: it first mediates the diffusion of chalcogenide toward the non-radiative recombination centers before it leads with Te to their optimal passivation. This comprehensive insight should allow further improvements in CdTe-based technologies.

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