Electronic and transport properties of Li-doped NiO epitaxial thin films

材料科学 兴奋剂 非阻塞I/O 外延 带隙 光电子学 半导体 电导率 薄膜 纳米技术 图层(电子) 物理化学 生物化学 催化作用 化学
作者
J. Y. Zhang,Weiwei Li,Robert L. Z. Hoye,Judith L. MacManus‐Driscoll,Melanie Budde,Oliver Bierwagen,Le Wang,Yingge Du,Matthew J. Wahila,Louis F. J. Piper,T.-L. Lee,Holly Edwards,V.R. Dhanak,K. H. L. Zhang
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:6 (9): 2275-2282 被引量:125
标识
DOI:10.1039/c7tc05331b
摘要

NiO is a p-type wide bandgap semiconductor of use in various electronic devices ranging from solar cells to transparent transistors. This work reports the controlling of conductivity and increase of work functions by Li doping.
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