GaN-Si direct wafer bonding at room temperature for thin GaN device transfer after epitaxial lift off

材料科学 晶片键合 直接结合 薄脆饼 外延 阳极连接 光电子学 抛光 热压连接 纳米技术 复合材料 图层(电子)
作者
Fengwen Mu,Yuki Morino,Kathleen Jerchel,Masahisa Fujino,Tadatomo Suga
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier BV]
卷期号:416: 1007-1012 被引量:40
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2017.04.247
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