Highly Stable O‐Tolylbiguanide‐CsPbI3 Quantum Dots and Light‐Emitting Diodes by Synergistic Supramolecular Passivation

材料科学 钝化 量子点 二极管 光电子学 发光二极管 超分子化学 纳米技术 结晶学 晶体结构 化学 图层(电子)
作者
Hanming Li,Yulu Hua,Xiaoyu Wang,Chengda Ge,Zisheng Wang,Yilong Song,Xiaohui Li,Anran Wang,Yang Yang,Kun Zhou,Wei Dong,Weitao Zheng,Lijun Zhang,Xiaoyu Zhang,Qingfeng Dong
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
标识
DOI:10.1002/adfm.202311554
摘要

Abstract Developing effective strategy to passivate surface defects in quantum dots (QDs) is critical to achieving high‐efficiency and long‐life perovskite light‐emitting diodes (LEDs). Here, the supramolecular interaction underpinning of organic‐inorganic components is exploited and a facile method is proposed to generate multiple‐hydrogen‐bonded supramolecular‐perovskite crystal structures on QD surfaces by introducing O‐Tolylbiguanide (O‐Tg) during QD synthesis, enabling bright, conductive, and water‐resistant CsPbI 3 QDs. Compared with commonly used oleic acid and oleylamine ligands, the biguanide functional group in O‐Tg not only forms multiple hydrogen bond interactions with lead halide octahedra passivating both bridging‐ and terminal‐halogen ion defects, but also compatibly occupies the A‐site position stabilizing the crystal structure simultaneously. With fewer nonradiative defects and introduced hydrophobic benzene rings preventing eroding of polar molecules, CsPbI 3 QDs exhibit remarkable photoluminescence quantum yields of 96%, and their film can be submerged in water for 30 h without degrading. The corresponding LEDs display a high external quantum efficiency (21.2%) and offer superior operational stability with a lifetime (T 90 ) of 25 h at a constant current density as high as 50 mA cm −2 .
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