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Subnanomolar Determination of Indium by Adsorptive Stripping Differential Pulse Voltammetry Using Factorial Design for Optimization

化学 检出限 分析化学(期刊) 吸附溶出伏安法 支撑电解质 悬汞滴电极 原子吸收光谱法 阳极溶出伏安法 吸附 伏安法 微分脉冲伏安法 二甲酚橙 阴极溶出伏安法 电极 析因实验 电化学 核化学 色谱法 循环伏安法 数学 统计 物理化学 量子力学 有机化学 物理
作者
Ali Benvidi,Mohammad Mazloum‐Ardakani
出处
期刊:Analytical Letters [Taylor & Francis]
卷期号:42 (15): 2430-2443 被引量:18
标识
DOI:10.1080/00032710903061154
摘要

Abstract A highly sensitive method to determine of indium is proposed by adsorption stripping differential pulse cathodic voltammetry (AdSDPCV) method. The complex of indium ions with xylenol orange is analyzed based on the adsorption collection onto a hanging mercury drop electrode (HMDE). After accumulation of the complex at −0.20 V vs. Ag/AgCl reference electrode, the potential is scanned in a negative direction from −0.40 to −0.75 V with the differential pulse method. Then, the reduction peak current of In(III)–XO complex is measured. The influence of chemical and instrumental variables was studied by factorial design analysis. Under optimum conditions and accumulation time of 60 s, linear dynamic range was 0.1–10 ng/ml (8.7 × 10−10 to 8.7 × 10−8 M) with a limit of detection of 0.03 ng/ml (2.6 × 10−10 M); at accumulation time of 5 min, linear dynamic range was 0.04–10 ng/ml (3.4 × 10−10 to 8.7 × 10−8 M) with a limit of detection of 0.013 ng/ml (1.1 × 10−10 M). The applicability of the method to analysis of real samples was assessed by the determination of indium in water, alloy, and jarosite (zinc ore) samples. Keywords: Adsorptive stripping voltammetryfactorial designindiumxylenol orange The authors are thankful to the Yazd University Research Council for the support of this work. Notes a In the presence of 400 mg/L F−. a Results obtained by atomic absorption spectroscopy after 100-fold preconcentration. Notes. Numbers in parentheses are the standard deviation for five replicate measurements. Alloy contents: Si/Cu/Al—3.16% Cu, 0.1% Mg, 8.78% Si, 0.64% Fe, 0.18% Mn, 0.67% Ni, 2.46% Zn, 0.19% Pb, 0.26% Sn, 0.09% Ti, 0.11% Cr, and 83.36% Al; and G-SnBz10—87.71% Cu, 10.6% Sn, 0.56% Zn, 0.74% Pb, 0.11% Fe, 0.112% Ni, 0.0019% Mn, 0.002% Bi, 0.0213% AS, 0.033% Sb, 0.0267% P, .0014% Cd, 0,059% Ag, and 0.0011% Se.
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