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Reactive plasma sputtering deposition of polycrystalline GaN thin films on silicon substrates at room temperature

材料科学 薄膜 溅射 纤锌矿晶体结构 无定形固体 溅射沉积 微晶 多晶硅 分析化学(期刊) 光电子学 纳米技术 结晶学 冶金 图层(电子) 化学 薄膜晶体管 色谱法
作者
Lakshman Srinivasan,Cyril Jadaud,François Silva,Jean‐Charles Vanel,Jean‐Luc Maurice,Erik Johnson,Pere Roca i Cabarrocas,Karim Ouaras
出处
期刊:Journal of vacuum science & technology [American Institute of Physics]
卷期号:41 (5) 被引量:5
标识
DOI:10.1116/6.0002718
摘要

We report on the successful growth of polycrystalline GaN thin films on Si (100) substrates at room temperature (without intentional heating) using radiofrequency reactive magnetron sputtering. We use Ar and N2 as the main sputtering and N-atom precursor gas sources, respectively, and a gallium cathode as the Ga-atom source. We focus here on studying the effect of working pressure, as it is found to be the parameter that plays the most influential role on the crystalline quality of the thin films in the investigated range (20–95 mTorr). The morphology, microstructure, and composition profile of the GaN thin films are analyzed using a set of ex situ solid-state characterization techniques. This study reveals that for process pressures below 50 mTorr, the resulting films possess an amorphous nature, while for process pressures above that they become polycrystalline. Most of the crystalline films are found to be nanostructured with grain sizes typically ranging from 10 to 30 nm in size. The highest growth rate of ∼ 2.9 Å/s is obtained for the deposition carried out at 50 mTorr. At this pressure, the films exhibit the best crystallinity with a dominant wurtzite hexagonal structure. The elemental distribution of Ga and N throughout the growth profile is uniform with a sharp interface at the substrate, demonstrating one of the interests in working at low temperatures to avoid melt-back etching, a destructive reaction between gallium and silicon, that usually takes place at high temperatures.
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