High-performance ambipolar field-effect transistors with a Ph-BTBT-10/PMMA/ZnO structure

双极扩散 材料科学 光电子学 场效应晶体管 溶解过程 晶体管 等离子体 电气工程 量子力学 物理 工程类 电压
作者
Xiangyu Ji,Jiayuan Zheng,T.D. Lin,Lingyi Liu,Huili Wei,Chang Chen,Juan Xiong,Xianbao Wang,Jinhua Li,Feng Yan
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:11 (37): 12583-12589 被引量:5
标识
DOI:10.1039/d3tc02519e
摘要

Ambipolar FETs were designed and fabricated based on the Ph-BTBT-10/PMMA/ZnO structure by a solution process.
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