基于单晶SiC热沉的半导体激光器封装与应用（特邀）

半导体激光器工作时，散热不良会引起波长红移、阈值电流增大、输出功率降低等问题。随着半导体激光器输出功率的不断增大，散热问题日趋严峻。基于单晶碳化硅的高热导率特性，研制了单晶碳化硅热沉和单晶碳化硅覆铜热沉，并分别进行了640 nm红光激光芯片和高功率915 nm 激光芯片封装测试。与氮化铝热沉相比，单晶碳化硅热沉封装的640 nm红光激光器的阈值电流减小了0.25 A，最大输出功率提高了0.5 W，电光转换效率为42.7%；单晶碳化硅覆铜热沉封装的915 nm半导体激光器的阈值电流减小了0.26 A，最大输出功率提高了1.9 W，电光转换效率为64.9%。单晶SiC热沉对半导体激光器的散热和工作性能有显著提升作用，这为高功率半导体激光器热管理问题提供了有效的解决方案。