A 112 Gbps Silicon-Germanium Avalanche Photodiode with Ultra-High Gain-Bandwidth Product

雪崩光电二极管 锗 光电子学 带宽(计算) 材料科学 光电二极管 硅 光学 计算机科学 电信 物理 探测器
作者
Chao Zeng Cheng,Jintao Xue,Shenlei Bao,Qian Liu,Wenfu Zhang,Binhao Wang
出处
期刊:Optical Fiber Communication Conference 卷期号:: M4K.5-M4K.5 被引量:6
标识
DOI:10.1364/ofc.2025.m4k.5
摘要

We present a Si-Ge APD with a GBP of 7078 GHz at an input optical power of -24 dBm. It demonstrates sensitivities of -14.9 dBm at 100 Gbps NRZ and -12.8 dBm at 112 Gbps PAM4, both with KP4-FEC.

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