Reduction of green-gap effect for light-emitting diodes using InGaN-ZnGeN2-InGaN/GaN type-II MQW

光电子学 材料科学 发光二极管 二极管 还原(数学) 宽禁带半导体 数学 几何学
作者
Himanshu Karan
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier BV]
卷期号:309: 117657-117657 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.mseb.2024.117657
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