Strain engineering of graphene on rigid substrates

石墨烯 拉伤 应变工程 材料科学 纳米技术 计算机科学 生物 光电子学 解剖
作者
Yang Zhang,Yanhan Jin,Jinglan Liu,Qiancheng Ren,Zhengyang Chen,Yi Zhao,Pei Zhao
出处
期刊:Nanoscale advances [Royal Society of Chemistry]
卷期号:4 (23): 5056-5061 被引量:11
标识
DOI:10.1039/d2na00580h
摘要

A novel technique for high-quality strain engineering of monolayer graphene on the SiO 2 /Si substrate with a maximum strain of 1.5% is achieved.
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