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作者
L. Di Cioccio,Y. Le Tiec,F. Letertre,C. Jaussaud,M. Bruel
出处
期刊:Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期:1996-06-06
卷期号:32 (12): 1144-1145
被引量:120
摘要
The Smart Cut process has been applied for the first time to SiC, in order to form silicon carbide on insulator (SiCOI) structures. These structures have been formed on polycristalline SiC and on silicon substrates.
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