The defects of reported TID reinforced structures and the improved structure

NMOS逻辑 浅沟隔离 材料科学 光电子学 吸收剂量 GSM演进的增强数据速率 CMOS芯片 晶体管 阈值电压 MOSFET 电子工程 辐射 电气工程 电压 纳米技术 工程类 光学 沟槽 物理 电信 图层(电子)
作者
Yongbo Liao,Yangmeng Liu,Ping Li,Ke Feng,Pigen Yuan
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:146: 115018-115018 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2023.115018
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