UV-NIR dual-band heterojunction photodetector based on p-InP/Ga2O3 with oxygen vacancy engineering

材料科学 光电探测器 光电子学 异质结 空位缺陷 氧气 暗电流 载流子寿命 杂质 光学
作者
Liang Wang,Hanpeng Liu,Juan Wang,Lin'an He,Wei Mi,Di Wang,Rongrong Chen,Liwei Zhou,Yan Zhu,Xiaoguang Li,Jinshi Zhao
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:210: 110657-110657 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2026.110657
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