Leveraging band bending in SnS/SnSe type-I heterojunction for high thermoelectric performance and on-chip hotspot cooling

异质结 材料科学 带材弯曲 热电效应 光电子学 电子迁移率 带隙 薄膜 塞贝克系数 载流子 电子 电子能带结构 有效质量(弹簧-质量系统) 直接和间接带隙 带偏移量 热电材料 单层 能量转换效率
作者
Yixuan Liu,Lifu Yan,Shangchao Lin
出处
期刊:Applied Thermal Engineering [Elsevier BV]
卷期号:290: 130042-130042 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.applthermaleng.2026.130042
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