Polymorphic Transition in ZnP2 at High Temperature and High Pressure.

正六面体型アンピル超高圧装置を用いて,単斜晶系ZnP2に150℃,20kb以上の高温度と高圧力を同時に作用させるとき,ZnP2の新しい高圧相を生じることが判明した。この高圧相は,直接,亜鉛とリンを高温高圧において反応させることによっても生じる他,正方晶系ZnP2の相転移によっても生成し,格子定数a=5.322Åの偽立方晶系の結晶構造を有する。金属光沢を持ち,測定密度は3.559/cm3である。ZnP2の高圧相は他の2種の常圧相とともに電気的には半導体に属し,室温における比抵抗値は103Ω・cmで,単斜晶系ZnP2の10Ω・cmと正方晶系ZnP2の108Ω・cmの中間の値を示す。高圧相についての電気的測定によれば,20～150℃の温度範囲において電気抵抗ρと絶対温度Tの逆数のプロット,logρ～1/Tはよい直線性を示し,15kbでのエネルギーギャップEg=0.44eVを与える。単斜晶系および正方晶系ZnP2から高圧相への相転移がX線回折により追跡され相転移に対する温度,圧力の効果が検討された。この結果をもとにして各相の安定領域が求められた。II-V2型化合物の一つであるZnP2にダイヤモンド類似のX線回折を与える新しい高圧相が見いだされたことにより,さきにHall,Comptonによって示唆されたIV族元素と類似の電子構造を持つ非対称的化合物の高圧による合成の可能性が,III2-VI型化合物の一つであるB2Oの高圧合成とともに,より確かなものとなったと考えられる。