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作者
Yu Xiong,Jingwei Tao,Ruihao Wang,Xiaolan Qiao,Xiaodi Yang,Deliang Wang,Hongzhuo Wu,Hongxiang Li
标识
DOI：10.1002/adma.201600120
摘要
The furan-thiophene-based quinoidal organic semiconductor, TFT-CN, is designed and synthesized. TFT-CN displays a high electron mobility of 7.7 cm(2) V(-1) s(-1) , two orders of magnitude higher than the corresponding thiophene-based derivative.
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