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(Benzimidazolium)2GeI4: A layered two-dimensional perovskite with dielectric switching and broadband near-infrared photoluminescence

化学 光致发光 钙钛矿(结构) 宽带 相变 电介质 带隙 光电子学 卤化物 相(物质) 差示扫描量热法 衍射 Crystal(编程语言) 单晶 工作(物理) 凝聚态物理 发光 介电常数 介电损耗 材料科学 光学
作者
Xuan Zhu,Lin Zhou,Xiao–Yun Huang,Yan-Ling Luo,Xin Deng,Xin Yan,Yanjuan Wang,Yan Qin,Yuan‐Yuan Tang
出处
期刊:Chinese Journal of Structural Chemistry [Elsevier BV]
卷期号:43 (6): 100272-100272 被引量:9
标识
DOI:10.1016/j.cjsc.2024.100272
摘要

Two-dimensional (2D) lead halide perovskites have attracted tremendous attention due to their outstanding physical properties. However, the presence of toxic lead is a major problem for large-scale applications. Here, we report the synthesis, phase transition, dielectric and photoluminescence (PL) properties of a lead-free two-dimensional Ge-based perovskite (BIM)2GeI4 (BIM = benzimidazolium). Variable temperature single crystal X-ray diffraction experiment and differential scanning calorimeter measurement reveal that (BIM)2GeI4 experiences a phase transition at 405 K, accompanying by the order-disorder change of organic spacer. Moreover, the step-like dielectric transition near phase transition makes it suitable for dielectric switching. Meanwhile, (BIM)2GeI4 has a direct bandgap of 2.23 eV and broadband emission from 550 nm to 1000 nm, implying their unique optical property for potential near-infrared lighting and displaying. This work provides a fresh example for the development of lead-free 2D Ge-based perovskite with potential application in the fields of optoelectronics and high temperature dielectric switching.
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