Current challenges and opportunities for EUV lithography

极紫外光刻 抵抗 平版印刷术 下一代光刻 多重图案 材料科学 极端紫外线 X射线光刻 光刻 计算光刻 浸没式光刻 纳米技术 光学 光电子学 电子束光刻 物理 激光器 图层(电子)
作者
Harry Levinson,Timothy A. Brunner
标识
DOI:10.1117/12.2502791
摘要

The semiconductor industry is on the threshold of using extreme ultraviolet (EUV) lithography in high volume manufacturing (HVM). Nevertheless, there are several areas where improvement in this lithographic technology would be very beneficial, most notably exposure tool reliability (particularly the light source) and mask contamination. These areas have important consequences for productivity. Future generations of EUV lithography are expected, but there are several challenges to be overcome, particularly in the areas of resists and computational lithography. A replacement for chemically amplified resists may be required. Regardless of resist type, exposure doses must be sufficiently high to prevent photon shot noise from causing high levels of yield loss. Computational lithography for next generation EUV lithography will be very complex.
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