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Electrolyte-gated transistors for synaptic electronics, neuromorphic computing, and adaptable biointerfacing

神经形态工程学 晶体管 计算机科学 数码产品 计算机体系结构 人工智能 电气工程 人工神经网络 工程类 电压
作者
Haifeng Ling,Dimitrios A. Koutsouras,Setareh Kazemzadeh,Yoeri van de Burgt,Feng Yan,Paschalis Gkoupidenis
出处
期刊:Applied physics reviews [American Institute of Physics]
卷期号:7 (1) 被引量:238
标识
DOI:10.1063/1.5122249
摘要

Functional emulation of biological synapses using electronic devices is regarded as the first step toward neuromorphic engineering and artificial neural networks (ANNs). Electrolyte-gated transistors (EGTs) are mixed ionic–electronic conductivity devices capable of efficient gate-channel capacitance coupling, biocompatibility, and flexible architectures. Electrolyte gating offers significant advantages for the realization of neuromorphic devices/architectures, including ultralow-voltage operation and the ability to form parallel-interconnected networks with minimal hardwired connectivity. In this review, the most recent developments in EGT-based electronics are introduced with their synaptic behaviors and detailed mechanisms, including short-/long-term plasticity, global regulation phenomena, lateral coupling between device terminals, and spatiotemporal correlated functions. Analog memory phenomena allow for the implementation of perceptron-based ANNs. Due to their mixed-conductivity phenomena, neuromorphic circuits based on EGTs allow for facile interfacing with biological environments. We also discuss the future challenges in implementing low power, high speed, and reliable neuromorphic computing for large-scale ANNs with these neuromorphic devices. The advancement of neuromorphic devices that rely on EGTs highlights the importance of this field for neuromorphic computing and for novel healthcare technologies in the form of adaptable or trainable biointerfacing.
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