Impact of Atomic Void Clusters on the Tensile Behavior and its Features of Silicon Carbide Polycrystal through Molecular Dynamics Analysis

材料科学 空隙(复合材料) 空位缺陷 极限抗拉强度 碳化硅 分子动力学 复合材料 碳化物 位错 法律工程学 结晶学 计算化学 工程类 化学
作者
S Gowthaman
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (12): 5221-5231 被引量:3
标识
DOI:10.1007/s12633-023-02405-7
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